Нет товаров в корзине
148944
IRGP4066DPBF
Цена 1 050.00 руб.
Описание IRGP4066DPBF
The IRGP4066DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged trans...The IRGP4066DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.
• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• 5µs Short-circuit SOA
| Технология/семейство | trench |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 140A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 225А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.1В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 454Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 50нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 200нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+175°C |
| Корпус | to-247ac |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.