Нет товаров в корзине
147522
IRGP4066D-EPBF
Цена 1 833.08р.
Описание IRGP4066D-EPBF
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a compre...
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | trench |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 140A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 225А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.1В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 454Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 50нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 200нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+175°C |
| Корпус | TO-247AD |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRGP4066D-EPBF
4-6 по запросу 1 833.08
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.