Нет товаров в корзине
148382
HGTG18N120BND
Цена 660.00 руб.
Описание HGTG18N120BND
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Технология/семейство | npt |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 1200В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 54A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 160А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.7В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 390Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 23нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 170нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
| Корпус | to-247 |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.