GT50J325

GT50J325 от компании Toshiba представляет собой N-канальный силиконовый, биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO-3P. БТИЗ обычно используются в устройствах быстрой коммутации и высокой мощности переключения.

• БТИЗ 4-го поколения
• Режим обогащения
• Быстрая коммутация
• Рабочая частота до 50кГц
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4В
• Между эмиттером и коллектором включен FRD
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 600В
• DC ток коллектора 50А
• Температура перехода 150°C
• Рассеивание мощности коллектора 240Вт