Нет товаров в корзине
147090
IRG4PC40FDPBF
Цена 230.00 руб.
Описание IRG4PC40FDPBF
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a compre...
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 49A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 196А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 1.7В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 160Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 63нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 230нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
| Корпус | to-247ac |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.