Нет товаров в корзине
147055
IRG4BC30KDPBF
Цена 254.15 - 339.31 руб.
Описание IRG4BC30KDPBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a compr...
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 28A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 56А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.7В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 100Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 60нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 160нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRG4BC30KDPBF
4-7 480 254.15 IRG4BC30KDPBF
4-6 1 339.31
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.