IRFB38N20DPBF

Цена 132.60 - 412.50 руб.

Описание IRFB38N20DPBF

The IRFB38N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effecti...

The IRFB38N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters and plasma display panel.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low gate-to-drain charge to reduce switching losses

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси	200В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	44
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.	±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id	0.054 ом при 26a, 10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	320
Крутизна характеристики	17S
Корпус	to220ab
Вес	2.5г

В разработке.

Характеристики, параметры

Скачать файл

Наименование	Отгрузка, дней	Наличие, шт.	Цена, руб
IRFB38N20DPBF	4-7	по запросу	1000 132.60
IRFB38N20DPBF	уточните	по запросу	3000 0.00
IRFB38N20D PBF	уточните	по запросу	5000 0.00
IRFB38N20D PBF	уточните	40	6000 0.00
IRFB38N20DPBF	4-6	615	6000 233.49
IRFB38N20DPBF	4-8	400	6000 412.50