Нет товаров в корзине
147968
IRFB38N20DPBF
Цена 149.16 - 218.28 руб.
Описание IRFB38N20DPBF
The IRFB38N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effecti...The IRFB38N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters and plasma display panel.
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 200В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.054 ом при 26a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 320 |
| Крутизна характеристики | 17S |
| Корпус | to220ab |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRFB38N20D PBF
1-3 40 149.16 IRFB38N20DPBF
4-6 1 218.28
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.