Нет товаров в корзине
147525
IRFB3307ZPBF
Цена 73.08 - 143.65 руб.
Описание IRFB3307ZPBF
The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedn...The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 75В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.0058 ом при 75a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Крутизна характеристики | 320S |
| Корпус | to220ab |
| Особенности | быстродействующий мощный ключ |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRFB3307ZPBF
4-6 1 126.11 IRFB3307ZPBF
4-5 776 73.08 IRFB3307ZPBF
4-7 2000 143.65
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.