IRFB3307ZPBF

Цена 79.72 - 412.50 руб.

Описание IRFB3307ZPBF

The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedn...

The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси	75В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id	0.0058 ом при 75a, 10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	230
Крутизна характеристики	320S
Корпус	to220ab
Особенности	быстродействующий мощный ключ
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес	2.5г