Нет товаров в корзине
147490
IRF9Z34NSPBF
Цена 78.46р.
Описание IRF9Z34NSPBF
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel...
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | p-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | -55В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.1 ом при-10a, -10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Крутизна характеристики | 4.2S |
| Корпус | d2pak |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF9Z34NSPBF
4-7 110 78.46
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.