Нет товаров в корзине
IRF8707TRPBF
Цена 38.26 - 86.25 руб.
Описание IRF8707TRPBF
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices ...
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси | 30В |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.0119 ом при 11a, 10вRds (on) |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики | 25S |
Корпус | so8 |
Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
Вес | 0.15г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF8707TRPBF
4-7 16 51.94 "IRF8707TRPBF"
4-7 по запросу 1000 0.00 IRF8707TRPBF
1-2 6 1000 68.54 IRF8707TRPBF
4-6 6792 1000 38.26 IRF8707TRPBF
4-8 2000 1000 86.25
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.