Нет товаров в корзине
147039
IRF8010PBF
Цена 183.03 - 450.00 руб.
Описание IRF8010PBF
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices...
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 100В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.015 ом при 45a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…4 |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF8010PBF
4-6 421 183.03 IRF8010PBF
4-8 200 450.00
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.