Нет товаров в корзине
146531
IRF7389PBF
Цена 32.00 руб.
Описание IRF7389PBF
The IRF7389PBF is a 30V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silico...The IRF7389PBF is a 30V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• Generation V technology
• Complimentary half bridge
• Surface mount
• Fully avalanche rated
| Структура | n/p-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 30/-30В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3/-5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.029 ом при 5.8a, 10в/0.058 ом при-4.9a, -10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики | 14/7.7S |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -1/1 |
| Вес | 0.15г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF7389PBF
уточните по запросу 0.00
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.