IRF7343PBF

Цена 30.00 руб.

Описание IRF7343PBF

MOSFET, DUAL NP TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N/P Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 4.7A Res...
MOSFET, DUAL NP TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N/P Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 4.7A Resistance, Rds On 0.05ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Id Cont N Channel 2 4.7A Current, Id Cont P Channel 3.4A Current, Idm Pulse 38A Current, Idm Pulse N Channel 2 38A Current, Idm Pulse P Channel 27A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2W Power, Pd 2W Resistance, Rds on N Channel Max 0.05ohm Resistance, Rds on P Channel Max 0.105ohm SMD Marking F7343 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Transistors, No. of 2 Voltage, Vds 2V Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vds N Channel 1 55V Voltage, Vds P Channel 1 55V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 95 мОм
Структура n/p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 55/-55В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. ±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id 0.05 ом при 4.7a, 10в/0.105 ом при-3.4a, -10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики 7.9S
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе -1/1
Вес 0.15г

В разработке.

Характеристики, параметры

Скачать файл

Доставка в регионы

Доставляем по всей России.

Тех. поддержка

Всегда вам поможем.

Скидки и акции

С нами выгоднее.