Нет товаров в корзине
IRF7342TRPBF
Цена 42.59 - 162.50 руб.
Описание IRF7342TRPBF
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channe...
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура | 2p-канала |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси | -55В |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -3.4 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.105 ом при-3.4a, -10вRds (on) |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики | 3.3S |
Корпус | so8 |
Пороговое напряжение на затворе | -1 |
Вес | 0.15г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF7342TRPBF
4-7 4400 59.67 IRF7342TRPBF
4-5 3725 45.25 IRF7342TRPBF
4-7 4900 95.03 IRF7342TRPBF
2-5 947 1000 46.67 IRF7342TRPBF
4-6 10978 1000 59.32 IRF7342TRPBF
4-8 7000 1000 162.50 IRF7342TRPBF
2-5 13650 1000 42.59
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.