Нет товаров в корзине
146023
IRF7104PBF
Цена 33.00 руб.
Описание IRF7104PBF
Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide spa...
Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual P-channel configuration.
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual P-channel configuration.
| Структура | 2p-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | -20В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.25 ом при-1a, -10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики | 2.5S |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -3 |
| Вес | 0.15г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.