IRF640NSPBF

Цена 47.00 руб.

Описание IRF640NSPBF

MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A ...
MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 72A Power Dissipation 150W Power, Pd 150W SMD Marking IRF640NS Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds 200V Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 200В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. ±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id 0.15 ом при 11a, 10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики 6.8S
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес 2.5г

В разработке.

Характеристики, параметры

Скачать файл

Доставка в регионы

Доставляем по всей России.

Тех. поддержка

Всегда вам поможем.

Скидки и акции

С нами выгоднее.