Нет товаров в корзине
IRF640NSPBF
Цена 47.00 руб.
Описание IRF640NSPBF
MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A ...
MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 72A Power Dissipation 150W Power, Pd 150W SMD Marking IRF640NS Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds 200V Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси | 200В |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.15 ом при 11a, 10вRds (on) |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики | 6.8S |
Корпус | d2pak |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.