IRF540ZPBF

Цена 61.36 - 162.50 руб.

Описание IRF540ZPBF

The IRF540ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e...

The IRF540ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси	100В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id	0.0265 ом при 22a, 10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	92
Корпус	to220ab
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес	2.5г