IRF3710SPBF

Цена 54.00 руб.

Описание IRF3710SPBF

The IRF3710SPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in D2-PAK package. This MOS...

The IRF3710SPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in D2-PAK package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 23mohm at Vgs of 10V
• Power dissipation Pd of 200W at 25°C
• Continuous drain current Id of 57A at Vgs 10V and 25°C
• Junction temperature range from -55°C to 175°C

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси	100В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	57
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id	0.023 ом при 28a, 10вRds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики	20S
Корпус	d2pak
Особенности	электропривод
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес	2.5г