Нет товаров в корзине
145541
IRF3315PBF
Цена 82.88 - 131.25 руб.
Описание IRF3315PBF
The IRF3315PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to...The IRF3315PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 150В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.07 ом при 12a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Крутизна характеристики | 11.4S |
| Корпус | to220ab |
| Особенности | аудиоприложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRF3315PBF
4-7 по запросу 82.88 IRF3315PBF
уточните по запросу 0.00 "IRF3315PBF"
4-7 по запросу 0.00 IRF3315PBF
3-7 19 131.25
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.