101966

IR2109PBF

Цена 83.85 - 362.50 руб.

Описание IR2109PBF

The IR2109PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side ...

The IR2109PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels
• High-side output in phase with IN input
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Shut down input turns OFF both channels

Тип драйвера драйвер верхнего и нижнего плеча
Тип входа неинвертирующий
Количество нижних каналов 1
Количество верхних каналов 1
Максимальное напряжение смещения 600В
Максимальный выходной ток нарастания/спада 0.2/.35
Время задержки 750нс
Диапазон рабочих напряжений 10…20В
Диапазон рабочих температур -40…+125С
Корпус dip8
Вес

В разработке.

Характеристики, параметры

Скачать файл

  • Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт.

    IR2109PBF

    4-7 по запросу 1000 143.65

    IR2109PBF

    5-7 86 1000 83.85

    IR2109PBF

    4-6 177 1000 182.48

    IR2109PBF

    4-8 80 1000 362.50

Доставка в регионы

Доставляем по всей России.

Тех. поддержка

Всегда вам поможем.

Скидки и акции

С нами выгоднее.