Нет товаров в корзине
146884
IKW30N60H3 (K30H603)
Цена 240.00 руб.
Описание IKW30N60H3 (K30H603)
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter v...
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 60A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 120А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.4В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 187Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 21нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 207нс |
| Рабочая температура (Tj) | -40…+175°C |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.