Нет товаров в корзине
146860
IHW30N160R2 (H30R1602)
Цена 320.00 руб.
Описание IHW30N160R2 (H30R1602)
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter ...
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | npt trench and field stop |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 1600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 60A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 90А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.1В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 312Вт |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 525нс |
| Рабочая температура (Tj) | -40…+175°C |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.