Нет товаров в корзине
HGTG5N120BND
Цена 338.38 - 612.50 руб.
Описание HGTG5N120BND
IGBT, 1200V, 21A; Transistor Type: NPT; Transistor Polarity: N; Voltage, Vces: 1200V; Current, Ic Continuous a Max: 2...
IGBT, 1200V, 21A; Transistor Type: NPT; Transistor Polarity: N; Voltage, Vces: 1200V; Current, Ic Continuous a Max: 21A; Voltage, Vce Sat Max: 2.7V; Power Dissipation: 167W; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Temperature, Operating Range: -55°C to +150°C
Корпус TO-247-3
Корпус TO-247-3
Технология/семейство | npt |
---|---|
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ | 1200В |
Максимальный ток КЭ при 25°C | 21A |
Импульсный ток коллектора (Icm) | 40А |
Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.7В |
Максимальная рассеиваемая мощность | 167Вт |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 22нс |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 160нс |
Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
Корпус | to-247 |
Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. HGTG5N120BND
4-6 90 338.38 HGTG5N120BND
4-8 500 612.50
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.