Нет товаров в корзине
146815
HGTG30N60A4
Цена 719.33 - 875.00 руб.
Описание HGTG30N60A4
The HGTG30N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and low on state conduc...The HGTG30N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and low on state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications.
• Low saturation voltage
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• 58ns fall time at 125°C junction temperature
| Технология/семейство | SMPS |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 75A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 240А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 2.6В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 463Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 25нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 150нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
| Корпус | to-247 |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. HGTG30N60A4
4-6 по запросу 719.33 HGTG30N60A4
4-8 600 875.00
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.