Нет товаров в корзине
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода | да |
---|---|
Максимальное напряжение КЭ | 600В |
Максимальный ток КЭ при 25°C | 50A |
Импульсный ток коллектора (Icm) | 100А |
Напряжение насыщения при номинальном токе | 1.55В |
Максимальная рассеиваемая мощность | 230Вт |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 250нс |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 330нс |
Рабочая температура (Tj) | -55…+175°C |
Корпус | to-3p(n) |
Вес | 6.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.