Нет товаров в корзине
IGBT Discretes, Toshiba
| Наличие встроенного диода | да |
|---|---|
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 50A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 100А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 1.55В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 230Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 250нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 330нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+175°C |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес | 6.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.