BTS442E2BKSA1
Цена 540.00 руб.
Описание BTS442E2BKSA1
The BTS442E2 is a 1-output N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS com...The BTS442E2 is a 1-output N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback and integrated in smart SIPMOS® technology. It provides embedded protective functions, under-voltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis.
• Overload protection
• Current limitation
• Short-circuit protection
• Thermal shutdown
• Overvoltage protection
• Fast demagnetization of inductive loads
• Reverse battery protection
• Open drain diagnostic output
• Open load detection in ON-state
• CMOS compatible input
• Loss of ground and loss of VBB protection
• Electrostatic discharge (ESD) protection
• High load current capability
• High inrush current capability
• Very high energy capability
• Capable for 24V applications
• Integrated protection functionality
Тип | Общего Назначения |
---|---|
Серия | PROFET |
Конфигурация | High Side |
Количество выходов | 1 |
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки | 4.5…42В |
Выходной ток (Max) | 17А |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ) | 0.015Ом |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура | -40…+150°C |
Корпус | p-to220-5 |
Вес | 3.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.