117073

BTS442E2BKSA1

Цена 540.00 руб.

Описание BTS442E2BKSA1

The BTS442E2 is a 1-output N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS com...

The BTS442E2 is a 1-output N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback and integrated in smart SIPMOS® technology. It provides embedded protective functions, under-voltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis.

• Overload protection
• Current limitation
• Short-circuit protection
• Thermal shutdown
• Overvoltage protection
• Fast demagnetization of inductive loads
• Reverse battery protection
• Open drain diagnostic output
• Open load detection in ON-state
• CMOS compatible input
• Loss of ground and loss of VBB protection
• Electrostatic discharge (ESD) protection
• High load current capability
• High inrush current capability
• Very high energy capability
• Capable for 24V applications
• Integrated protection functionality

Тип Общего Назначения
Серия PROFET
Конфигурация High Side
Количество выходов 1
Соотношение - вход: выход 1:1
Тип выхода n-канал
Напряжение нагрузки 4.5…42В
Выходной ток (Max) 17А
Сопротивление канала Rds(on) (Typ) 0.015Ом
Интерфейс on/off
Рабочая температура -40…+150°C
Корпус p-to220-5
Вес 3.5г

В разработке.

Характеристики, параметры

Скачать файл

Доставка в регионы

Доставляем по всей России.

Тех. поддержка

Всегда вам поможем.

Скидки и акции

С нами выгоднее.