Нет товаров в корзине
143930
BAT54CLT1G
Цена 6.73р.
Описание BAT54CLT1G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier ...
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
| Материал | кремний |
|---|---|
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 30В |
| Максимальное импульсное обратное напряжение | 30В |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 0.2А |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 0.3А |
| Максимальный обратный ток | 2мкА 25гр |
| Максимальное прямое напряжение | 0.8В |
| при Iпр. | 0.1А |
| Общая емкость Сд | 10пФ |
| Рабочая температура | -65…125С |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sot23 |
| Вес | 0.05г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. BAT54CLT1G
4-6 1 6.73
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.