Нет товаров в корзине
143673
1N5819
Цена 1.17 - 3 420.30 руб.
Описание 1N5819
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density.
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics
High power, efficiency and density.
High power, efficiency and density.
| Материал | кремний |
|---|---|
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 40В |
| Максимальное импульсное обратное напряжение | 40В |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 1А |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 25А |
| Максимальный обратный ток | 1000мкА 25гр |
| Максимальное прямое напряжение | 0.6В |
| при Iпр. | 1А |
| Общая емкость Сд | 110пФ |
| Рабочая температура | -65…125С |
| Способ монтажа | в отверст. |
| Корпус | do41 |
| Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. 1N5819
2-5 2270 3.90 1N5819
2-5 38119 2.30 1N5819
2-5 65323 3.23 1N5819
4-6 2612 10.99 1N5819
4-6 4552 5.17 1N5819
1-2 37 9.35 1N5819
1-2 230 2.90 1N5819
7-10 3422 0.00 1N5819
6-7 2899 3.88 1N5819
4-7 1500 3.32 1N5819
4-7 11 7.74 1N5819
5-6 1184 9.72 1N5819
5-7 256 2.52 1N5819
5-8 93 6.50 1N5819
5-8 354 3.90 1N5819
5-8 147 10.40
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.