1N5819
Цена 1.17 - 18.21 руб.
Описание 1N5819
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density.High power, efficiency and density.
Материал | кремний |
---|---|
Максимальное постоянное обратное напряжение | 40В |
Максимальное импульсное обратное напряжение | 40В |
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 1А |
Максимально допустимый прямой импульсный ток | 25А |
Максимальный обратный ток | 1000мкА 25гр |
Максимальное прямое напряжение | 0.6В |
при Iпр. | 1А |
Общая емкость Сд | 110пФ |
Рабочая температура | -65…125С |
Способ монтажа | в отверст. |
Корпус | do41 |
Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. 1N5819
2-5 5486 3.30 1N5819
2-5 45598 2.27 1N5819
2-5 23506 2.13 1N5819
4-6 4000 1000 10.37 1N5819
4-6 8066 1000 5.54 1N5819
1-2 47 2000 18.21 1N5819
1-2 680 2000 2.90 1N5819
7-10 3432 2000 0.00 1N5819
4-5 17000 2000 1.81 1N5819
6-7 2954 2000 4.76 1N5819
4-7 3800 2000 3.32 1N5819
4-7 11 2000 8.84 1N5819
5-6 175 2000 9.72 1N5819
5-7 401 2000 2.52 1N5819
5-7 68 2000 2.52 1N5819
5-7 10 2000 2.52 1N5819
1-5 922 3000 3.80 1N5819
5-8 167 3000 6.50 1N5819
5-8 211 3000 2.60 1N5819
5-8 164 3000 10.40 1N5819
5-12 18190 3000 1.60
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.