1N5819
Цена 1.17 - 14.30 руб.
Описание 1N5819
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density.High power, efficiency and density.
Материал | кремний |
---|---|
Максимальное постоянное обратное напряжение | 40В |
Максимальное импульсное обратное напряжение | 40В |
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 1А |
Максимально допустимый прямой импульсный ток | 25А |
Максимальный обратный ток | 1000мкА 25гр |
Максимальное прямое напряжение | 0.6В |
при Iпр. | 1А |
Общая емкость Сд | 110пФ |
Рабочая температура | -65…125С |
Способ монтажа | в отверст. |
Корпус | do41 |
Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. 1N5819
2-5 8377 3.93 1N5819
2-5 55291 2.14 1N5819
2-5 7469 2.69 1N5819
4-6 1 1000 11.62 1N5819
4-6 1 1000 6.83 1N5819
1-2 949 1000 3.20 1N5819
1-2 800 1000 3.39 1N5819
7-10 3432 1000 0.00 1N5819
4-5 30000 1000 1.81 1N5819
6-7 2954 1000 4.76 1N5819
4-7 17000 1000 3.32 1N5819
4-7 51 1000 11.05 1N5819
5-6 188 1000 9.72 1N5819
5-7 601 1000 2.52 1N5819
5-7 198 1000 2.52 1N5819
5-7 10 1000 2.52 1N5819
5-8 244 2000 6.50 1N5819
5-8 1735 2000 3.90 1N5819
5-8 164 2000 14.30
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.